מערך מוצרים

Dec 02, 2025

ייצור פרוסות סיליקון

תהליך ייצור פרוסות סיליקון

אנו מספקים פרוסות סיליקון באיכות גבוהה-תומכות בתעשיית המוליכים למחצה בקצה המוביל. חומרי גלם ברמת האיכות הגבוהה ביותר משמשים כחומר פרוסות סיליקון. הוופלים מיוצרים תחת בקרת האיכות הקפדנית ביותר כדי ליצור מוצרים העונים על צרכי הלקוח בכל מיני דרכים.

Silicon Wafer Image 5

עשוי מחומרי הגלם המשובחים ביותר, לאיכות שניתן לסמוך עליה

מטיל חד-גבישי

פרוסות הסיליקון המסופקות על ידינו עשויות ממטילי סיליקון חד-גבישיים בטוהר- גבוה, המיוצרים בתהליך צמיחת הגבישים Czochralski (CZ). מטילים בקוטר של עד 300 מ"מ מיוצרים תחת תקני בקרת איכות מחמירים.

אם הלקוחות דורשים, אנו משתמשים גם בשיטת Magnetic Czochralski (MCZ), הכוללת הפעלת שדה מגנטי חזק על הסיליקון המותך, או בשיטת Float-Zone (FZ), שבה מגדלים מטילי חד-גביש ברמות חמצן נמוכות ללא שימוש בכור היתוך קוורץ.

Silicon Wafer Image 4

מטיל חד-גביש נחתך לפרוסות בעובי של כ-1 מ"מ, כשהמשטחים מלוטשים לגימור דמוי מראה. כתוצאה מכך, הפרוסים שטוחים ונקיים להפליא. SUMCO יכולה גם לשלב יכולות גיטור לתוך הפרוסה, מה שעוזר ללכוד זיהומים ממתכת כבדה שאחרת עלולים לפגוע בתכונות החשמליות.

Silicon Wafer Additional Image

רקיק מלוטש עובר חישול בטמפרטורה גבוהה באווירה של מימן או ארגון, ומסיר חמצן ליד משטח הפרוסה. הפרוסה שהתקבלה שיפרה את שלמות הקריסטל.

Silicon Wafer Image 3

לאיכות מעולה

שכבת פני השטח של הפרוסה המלוטשת נוצרת מסיליקון חד-גבישי באמצעות צמיחת פאזה אדים, או אפיטקסיה.

Silicon Wafer Image 2

ראשית, העיצוב של הלקוח משמש ליצירת שכבת הטבעה עבור מעגלים משולבים על פני השטח של הפרוסה, תוך שימוש בטכניקות כגון פוטוליתוגרפיה, השתלת יונים ודיפוזיה תרמית. לאחר מכן, על גבי שכבה זו נוצרת שכבה אפיטקסיאלית.

Silicon Wafer Image 1

שכבת תחמוצת בעלת תכונות בידוד חשמלי מעולות מונחת בין שני פרוסות מלוטשות, אשר לאחר מכן מחוברות זו לזו. תהליך חיבור זה מאפשר יצירת מכשירים עם אינטגרציה גבוהה, צריכת חשמל נמוכה, מהירות גבוהה ואמינות יוצאת דופן. בנוסף, שכבת דיפוזיה של ארסן (As) או אנטימון (Sb) יכולה להיווצר בשכבה הפעילה על פני הוופל.

על פי דרישת הלקוח, ניתן להחזיר וופלים משומשים ולמחזר אותם לשימוש חוזר.

סוגי ופלים ומפרטים

סוג רקיק ופל מלוטש רקיק מחולל רקיק אפיטקסיאלי צומת פרוס מבודד סיליקון-על-ופל מבודד
קוטר (מ"מ) 100, 125, 150, 200, 300 - 150, 200, 300 100, 125, 150, 200, 300 150, 200
אוריינטציה קריסטלית <100>, <111>, <110> <100>, <111>, <110> <100>, <111>, <110> <100>, <111>, <110> <100>, <111>, <110>
דונטים להתאמת מוליכות B (בורון), P (זרחן), Sb (אנטימון), As (ארסן) B, P, Sb, As B, P, Sb, As B, P, Sb, As B, P, Sb, As

 

אולי גם תרצה